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FF6MR12W2M1PB11BPSA1

MOSFET MODULE LOW POWER EASY

+BOM RFQ

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Especificaciones

Package	Tray
Series	CoolSiC™+
ProductStatus	Last Time Buy
FETType	2 N-Channel (Dual)
FETFeature	Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	200A (Tj)
RdsOn(Max)@IdVgs	5.63mOhm @ 200A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id	5.55V @ 80mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	496nC @ 15V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	14700pF @ 800V
Power-Max	20mW (Tc)
OperatingTemperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Chassis Mount
Package/Case	Module

Métodos de envíoNosotros

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