WAB300M12BM3

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WAB300M12BM3

1200 V, 300 A HALF-BRIDGE MODULE

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Especificaciones

Package Bulk
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 382A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 5.2mOhm @ 300A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id 3.6V @ 92mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 908nC @ 15V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 24500pF @ 1000V
OperatingTemperature -40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
Package/Case Module

Envío

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