US6M11TR

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US6M11TR

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

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Especificaciones

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V, 12V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1.5A, 1.3A
RdsOn(Max)@IdVgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 1.8nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 110pF @ 10V
Power-Max 1W
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 6-SMD, Flat Leads

Envío

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