TPH3208LD

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TPH3208LD

GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN

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Especificaciones

Supplier Transphorm
Package Tube
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 20A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th)(Max)@Id 2.6V @ 300µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 14 nC @ 8 V
Vgs(Max) ±18V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 760 pF @ 400 V
PowerDissipation(Max) 96W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 4-PQFN (8x8)

Envío

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