TPH3206PD

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TPH3206PD

GANFET N-CH 600V 17A TO220AB

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Especificaciones

Supplier Transphorm
Package Tube
ProductStatus Not For New Designs
FETType N-Channel
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 17A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 180mOhm @ 11A, 8V
Vgs(th)(Max)@Id 2.6V @ 500µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±18V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 760 pF @ 480 V
PowerDissipation(Max) 96W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-220AB

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