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SIA906EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8

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Especificaciones

Series	TrenchFET®
Part Status	Active
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 10V
Power - Max	7.8W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Base Product Number	SIA906
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V

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