SI6562CDQ-T1-BE3

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SI6562CDQ-T1-BE3

N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF

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Especificaciones

Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
ProductStatus Active
FETType N and P-Channel
FETFeature Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 23nC @ 10V, 51nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
Power-Max 1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

Envío

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