SI1922EDH-T1-GE3

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SI1922EDH-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363

  • FabricanteVishay Siliconix
  • Mfr. Parte #SI1922EDH-T1-GE3
  • Paquete TSSOP-6
  • Hoja de datos
  • En stock3262

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Especificaciones

Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1.3A
RdsOn(Max)@IdVgs 198mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2.5nC @ 8V
Power-Max 1.25W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Envío

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