SCTWA30N120

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SCTWA30N120

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

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  • Mfr. Parte #SCTWA30N120
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Especificaciones

Supplier STMicroelectronics
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 45A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 20V
RdsOn(Max)@IdVgs 100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 3.5V @ 1mA (Typ)
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 105 nC @ 20 V
Vgs(Max) +25V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1700 pF @ 400 V
PowerDissipation(Max) 270W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 200°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage HiP247™ Long Leads

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