SCT3120AW7TL

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SCT3120AW7TL

SICFET N-CH 650V 21A TO263-7

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Especificaciones

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 21A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 156mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id 5.6V @ 3.33mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 38 nC @ 18 V
Vgs(Max) +22V, -4V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 460 pF @ 500 V
PowerDissipation(Max) 100W
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-263-7

Envío

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