SCT3022ALGC11

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SCT3022ALGC11

SICFET N-CH 650V 93A TO247N

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Especificaciones

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 93A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 18V
RdsOn(Max)@IdVgs 28.6mOhm @ 36A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id 5.6V @ 18.2mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 133 nC @ 18 V
Vgs(Max) +22V, -4V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2208 pF @ 500 V
PowerDissipation(Max) 339W (Tc)
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247N

Envío

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