SCT2160KEGC11

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SCT2160KEGC11

1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE

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  • Mfr. Parte #SCT2160KEGC11
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Especificaciones

Supplier Rohm Semiconductor
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 22A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 18V
RdsOn(Max)@IdVgs 208mOhm @ 7A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 2.5mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 62 nC @ 18 V
Vgs(Max) +22V, -6V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1200 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 165W (Tc)
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247N

Envío

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