RMD1N25ES9

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RMD1N25ES9

MOSFET N-CHANNEL 25V 1.1A SOT363

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Especificaciones

Supplier Rectron USA
Package Tape & Reel (TR)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1.1A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 600mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.1V @ 250µA
Vgs(Max) ±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 30 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max) 800mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage SOT-363

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