RJK0216DPA-00#J53

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RJK0216DPA-00#J53

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

  • FabricanteRenesas Electronics America Inc
  • Mfr. Parte #RJK0216DPA-00#J53
  • Paquete 8-WFDFN
  • Hoja de datos
  • En stock2029

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Especificaciones

Package Bulk
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature Logic Level Gate, 4.5V Drive
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 15A, 32A
RdsOn(Max)@IdVgs 9.2mOhm @ 7.5A, 10V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 6.2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1130pF @ 10V
Power-Max 10W, 20W
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-WFDFN

Envío

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