QH8MA2TCR

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QH8MA2TCR

MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8

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Especificaciones

Part Status Active
Base Product Number QH8MA2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 365pF @ 10V
Power - Max 1.25W
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package 8-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package TSMT8
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

Envío

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