P3M06025K4

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P3M06025K4

SICFET N-CH 650V 97A TO247-4

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Especificaciones

Supplier PN Junction Semiconductor
Package Tube
Series P3M
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 97A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 15V
RdsOn(Max)@IdVgs 34mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id 2.2V @ 50mA (Typ)
Vgs(Max) +20V, -8V
PowerDissipation(Max) 326W
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-4L

Envío

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