NVBG160N120SC1

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NVBG160N120SC1

SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK

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Especificaciones

Supplier onsemi
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series Automotive, AEC-Q101
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 19.5A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 20V
RdsOn(Max)@IdVgs 224mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 4.3V @ 2.5mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 33.8 nC @ 20 V
Vgs(Max) +25V, -15V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 678 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 136W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage D2PAK-7

Envío

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