NTHS2101PT1G

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NTHS2101PT1G

MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET

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Especificaciones

Supplier onsemi
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Obsolete
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 8 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5.4A (Tj)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.8V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 30 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2400 pF @ 6.4 V
PowerDissipation(Max) 1.3W (Ta)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage ChipFET™

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