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NTH4L030N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

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Especificaciones

Part Status	Active
FET Type	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	73A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.4V @ 15mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	107 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2430 pF @ 800 V
Power Dissipation (Max)	313W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole
Supplier Device Package	TO-247-4L
Package / Case	TO-247-4

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