MT3S113TU,LF

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MT3S113TU,LF

RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM

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Especificaciones

Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
TransistorType NPN
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 5.3V
Frequency-Transition 11.2GHz
NoiseFigure(dBTyp@f) 1.45dB @ 1GHz
Gain 12.5dB
Power-Max 900mW
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 200 @ 30mA, 5V
Current-Collector(Ic)(Max) 100mA
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 3-SMD, Flat Lead

Envío

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