MT3S111P(TE12L,F)

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MT3S111P(TE12L,F)

RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

  • FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
  • Mfr. Parte #MT3S111P(TE12L,F)
  • Paquete SOT-89
  • Hoja de datos
  • En stock674

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Especificaciones

Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
TransistorType NPN
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 6V
Frequency-Transition 8GHz
NoiseFigure(dBTyp@f) 1.25dB @ 1GHz
Gain 10.5dB
Power-Max 1W
DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce 200 @ 30mA, 5V
Current-Collector(Ic)(Max) 100mA
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case TO-243AA

Envío

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