MSC40SM120JCU3

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MSC40SM120JCU3

SICFET N-CH 1.2KV 55A SOT227

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Especificaciones

Supplier Microchip Technology
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 55A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 20V
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 2.7V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 137 nC @ 20 V
Vgs(Max) +25V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1990 pF @ 1000 V
PowerDissipation(Max) 245W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
SupplierDevicePackage SOT-227 (ISOTOP®)

Envío

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