IV1Q12160T4

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IV1Q12160T4

SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24

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Especificaciones

Supplier Inventchip
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 20A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 20V
RdsOn(Max)@IdVgs 195mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 2.9V @ 1.9mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 43 nC @ 20 V
Vgs(Max) +20V, -5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 885 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 138W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-4

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