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IRLHS6376TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

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Especificaciones

Series	HEXFET®
Part Status	Active
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 10µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 25V
Power - Max	1.5W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	6-PowerVDFN
Supplier Device Package	6-PQFN Dual (2x2)
Base Product Number	IRLHS6376
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.8nC @ 4.5V

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