IRL6283MTRPBF

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IRL6283MTRPBF

DIRECTFET N-CHANNEL POWER MOSFET

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Especificaciones

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series HEXFET®, StrongIRFET™
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 38A (Ta), 211A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 0.75mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1.1V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 158 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 8292 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max) 2.1W (Ta), 63W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage DIRECTFET™ MD

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