IRFS31N20DTRLP

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IRFS31N20DTRLP

HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET

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Especificaciones

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series HEXFET®
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 31A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 82mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 107 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2370 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 3.1W (Ta), 200W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage D2PAK

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