IRF510

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IRF510

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

  • FabricanteVishay Siliconix
  • Mfr. Parte #IRF510
  • Paquete
  • Hoja de datos IRF510 DataSheet
  • En stock19365

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Especificaciones

Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 43W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB
Package / Case TO-220-3
Base Product Number IRF510

Envío

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