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IPD60R600C6ATMA1

Name: IPD60R600C6ATMA1
Rating: 4.7 (12 reviews)

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

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Especificaciones

Series	CoolMOS™ C6
Part Status	Not For New Designs
Base Product Number	IPD60R
FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	440 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max)	63W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Package	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

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