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IPD60N10S4L12ATMA1

MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3

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Especificaciones

Series	HEXFET®
Part Status	Active
FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 46µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3170 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	94W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automotive
Qualification	AEC-Q101
Mounting Type	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO252-3-313
Package / Case	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number	IPD60N10

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