IPB65R125C7ATMA1

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IPB65R125C7ATMA1

MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK

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Especificaciones

Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Bulk
Series CoolMOS™ C7
ProductStatus Discontinued at Digi-Key
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 18A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 125mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 440µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 35 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1670 pF @ 400 V
PowerDissipation(Max) 101W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-TO263-3

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