FQB2N90TM

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FQB2N90TM

MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK

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Especificaciones

Supplier onsemi
Package Tape & Reel (TR)
Series QFET®
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 900 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.2A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 15 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 500 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 3.13W (Ta), 85W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage D²PAK (TO-263)

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