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DMN3190LDW-7

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

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Especificaciones

Part Status	Active
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	87pF @ 20V
Power - Max	320mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package	SOT-363
Base Product Number	DMN3190
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 10V

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