CSD25211W1015

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CSD25211W1015

MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

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Especificaciones

Series NexFET™
Part Status Active
Base Product Number CSD25211
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) -6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 6-DSBGA (1x1.5)
Package 6-UFBGA, DSBGA
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

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