C3M0160120J

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C3M0160120J

SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7

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Especificaciones

Supplier Wolfspeed, Inc.
Package Tube
Series C3M™
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 17A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 15V
RdsOn(Max)@IdVgs 208mOhm @ 8.5A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id 3.6V @ 2.33mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 24 nC @ 15 V
Vgs(Max) +15V, -4V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 632 pF @ 1000 V
PowerDissipation(Max) 90W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-263-7

Envío

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