BSZ215CHXTMA1

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BSZ215CHXTMA1

MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON

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Especificaciones

Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
ProductStatus Active
FETType N and P-Channel Complementary
FETFeature Logic Level Gate, 2.5V Drive
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5.1A, 3.2A
RdsOn(Max)@IdVgs 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.4V @ 110µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2.8nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 419pF @ 10V
Power-Max 2.5W
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-PowerTDFN

Envío

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