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BSM300D12P2E001

MOSFET 2N-CH 1200V 300A

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Especificaciones

Package	Tray
ProductStatus	Active
FETType	2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature	Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	300A (Tc)
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 68mA
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	35000pF @ 10V
Power-Max	1875W
OperatingTemperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Chassis Mount
Package/Case	Module

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